Поставка первых структур GaAs для p-i-n диодов

Завершена разработка лабораторной технологии получения структур GaAs для p-i-n диодов силовой электроники и начата их поставка потребителям

Информация о материале

GaAs структуры для p-i-n диодов

Фирмой ООО "МеГа Эпитех" начаты работы по разработке GaAs p-i-n структуры для p-i-n  диодов силовой электроники

Информация о материале

Награждение ООО "МеГа Эпитех" Бронзовой статуэткой "Святой Георгий" XI Международного форума «Высокие технологии XXI»

Оргкомитет XI Международного форума «Высокие технологии XXI» наградил ООО "МеГа Эпитех" Почетным знаком форума - Бронзовой статуэткой "Святой Георгий" за разработку технологии и освоение производства эпитаксиальных гетероструктур Ø50 мм методом жидкофазной эпитаксии для излучающих диодов ИК области спектра

Информация о материале

Получение патента № 2515316

Зарегистрирован патент № 2515316 «Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур»

Информация о материале

Получение патента № 2488911

Зарегистрирован патент № 2488911 «Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкостной эпитаксии»

Информация о материале