Подложки антимонида индия InSb и антимонида галлия GaSb

Производство подложек антимонида индия InSb и антимонида галлия GaSb проводится совместно с АО "Гиредмет", которое является единственным производителем исходных слитков этих материалов в нашей стране.

Данные материалы очень сложно обрабатываются, начиная от задания диаметра подложки и формирования фаски и заканчивая химико-механической полировкой. Тем не менее, нашим специалистом удалось создать и отработать уникальную методику изготовления подложек антимонида индия и антимонида галлия. 

Упаковка подложек производится в импортную индивидуальную или групповую тару с вакуумной откачкой, возможна дополнительная упаковка с заполнение инертным газом. 

Кроме того, мы можем провести регенерацию подложек заказчика с нанесенными эпитаксиальными слоями, что обычно дает возможность их повторного использования в эпитаксиальных процессах.

Номенклатура выпускаемых подложек достаточно широка. Есть стандартные серийные позиции, спецификация на которые представлены ниже в таблице. Возможно производство подложек и по индивидуальным техническим требованиям заказчика. 

Для получения более подробной и актуальной информации просим связываться по нашему контактному телефону +7-916-681-16-85 или написать на почту Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript..

Основные типичные параметры подложек антимонида индия и антимонида галлия InSb GaSb / Wafers Specifications

(скачать версию в pdf)
 Параметр
 Parameter
Значение
parameter value
 Материала подложки
 Substrates material
 InSb   GaSb
 Легирующая примесь
 Dopant
 отсутствует
undopend
Te  отсутствует
undopend
 Te
 Тип проводимости
 Conductivity type
n-тип
n-type
n-тип
n-type
P-тип
p-type
n-тип
n-type
 Метод выращивания исходного кристалла
 Crystal growth method
Модифицированной метод Чохральского
Modified Czochralski method (LEC)
 Кристаллографическая ориентация поверхности
 Surface orientation
(100) / (111)
 Разориентация поверхности
 Misorientations and orientation tolerance
0⁰ ±0.5⁰
 Диаметр, мм (дюйм)
 Wafer diameter, mm
 50.8 (2’’) / 76.2 (3’’)  / 100  50.8 (2’’) / 76.2 (3’’)
 Допуск на диаметр, мм
 Diameter tolerance mm
  ±0.2
 Диапазон номинальной толщины подложки, мкм
 Thickness, µm
625 ±25 для ø 50.8 (2’’)
800÷900 ±25 для ø 76.2 (3’’)
1000 ±25 для ø 100
625 ±25 для ø 50.8 (2’’)
800÷900 ±25 для ø 76.2 (3’’)
 Плотность дислокаций (EPD), см-2
 Etch Pitch Density (EPD), cm-2
≤ 100 ≤ 2000 ø 50.8 (2")
≤ 5000 ø 76.2 (3")
 Концентрация носителей заряда (СС), см-3
 
Carrier concentration (СС), cm-3
 3∙1014 ÷ 3∙1015  5∙1015 ÷ 1∙1018  ≤ 2∙1017 2∙1017 ÷ 1∙1018
 Подвижность носителей заряда, см2/(В∙с)
 Hall mobility, cm2/Vs
 > 4∙105  > 1∙104 > 600  3500 ÷ 2000
 Основной базовый срез (OF)
 Orientation (major) Flat (OF)
EJ SEMI (0-1-1) ±1°
US SEMI (01-1) ±1°
 Длина основного базового среза (OF), мм
 Orientation (major) Flat Length (OF), mm

16 ±2 для ø 50.8
22 ±2 для ø 76.2
32.5 ±2.5 для ø 100
 Дополнительный базовый срез (IF)
 Identification (minor) Flat (IF)

EJ SEMI (0-11) – поворот на 90° по часовой стрелке от основного базового среза
90° clockwise CW
US SEMI (011) – поворот на 90° против часовой стрелки от основного среза
90° counter clockwise CCW
 Длина дополнительного базового среза (IF), мм
 Identification (minor) Flat Length (IF), mm
8 ±1  для ø 50.8
11 ±1 для ø 76.2
18 ±1 для ø 100
 Лицевая / обратная поверхности подложек
 Surface Specifications (face / reverse)
полированная «epi-ready» / полированная или шлифованно-травленная
polish «epi-ready» / polish or etched (PP or PE)
 Тара и упаковка
 Packaging
индивидуальный или групповой контейнер, вакуумированный пакет
single wafer container or cassette