Подложки антимонида индия InSb и антимонида галлия GaSb
Производство подложек антимонида индия InSb и антимонида галлия GaSb проводится совместно с АО "Гиредмет", которое является единственным производителем исходных слитков этих материалов в нашей стране.
Данные материалы очень сложно обрабатываются, начиная от задания диаметра подложки и формирования фаски и заканчивая химико-механической полировкой. Тем не менее, нашим специалистом удалось создать и отработать уникальную методику изготовления подложек антимонида индия и антимонида галлия.
Упаковка подложек производится в импортную индивидуальную или групповую тару с вакуумной откачкой, возможна дополнительная упаковка с заполнение инертным газом.
Кроме того, мы можем провести регенерацию подложек заказчика с нанесенными эпитаксиальными слоями, что обычно дает возможность их повторного использования в эпитаксиальных процессах.
Номенклатура выпускаемых подложек достаточно широка. Есть стандартные серийные позиции, спецификация на которые представлены ниже в таблице. Возможно производство подложек и по индивидуальным техническим требованиям заказчика.
Для получения более подробной и актуальной информации просим связываться по нашему контактному телефону +7-916-681-16-85 или написать на почту Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript..
Основные типичные параметры подложек антимонида индия и антимонида галлия InSb GaSb / Wafers Specifications
(скачать версию в pdf)| Параметр Parameter |
Значение parameter value |
|||
| Материала подложки Substrates material |
InSb | GaSb | ||
| Легирующая примесь Dopant |
отсутствует undopend |
Te | отсутствует undopend |
Te |
| Тип проводимости Conductivity type |
n-тип n-type |
n-тип n-type |
P-тип p-type |
n-тип n-type |
| Метод выращивания исходного кристалла Crystal growth method |
Модифицированной метод Чохральского Modified Czochralski method (LEC) |
|||
| Кристаллографическая ориентация поверхности Surface orientation |
(100) / (111) | |||
| Разориентация поверхности Misorientations and orientation tolerance |
0⁰ ±0.5⁰ | |||
| Диаметр, мм (дюйм) Wafer diameter, mm |
50.8 (2’’) / 76.2 (3’’) / 100 | 50.8 (2’’) / 76.2 (3’’) | ||
| Допуск на диаметр, мм Diameter tolerance mm |
±0.2 | |||
| Диапазон номинальной толщины подложки, мкм Thickness, µm |
625 ±25 для ø 50.8 (2’’) 800÷900 ±25 для ø 76.2 (3’’) 1000 ±25 для ø 100 |
625 ±25 для ø 50.8 (2’’) 800÷900 ±25 для ø 76.2 (3’’) |
||
| Плотность дислокаций (EPD), см-2 Etch Pitch Density (EPD), cm-2 |
≤ 100 | ≤ 2000 ø 50.8 (2") ≤ 5000 ø 76.2 (3") |
||
| Концентрация носителей заряда (СС), см-3 Carrier concentration (СС), cm-3 |
3∙1014 ÷ 3∙1015 | 5∙1015 ÷ 1∙1018 | ≤ 2∙1017 | 2∙1017 ÷ 1∙1018 |
| Подвижность носителей заряда, см2/(В∙с) Hall mobility, cm2/Vs |
> 4∙105 | > 1∙104 | > 600 | 3500 ÷ 2000 |
| Основной базовый срез (OF) Orientation (major) Flat (OF) |
EJ SEMI (0-1-1) ±1° US SEMI (01-1) ±1° |
|||
| Длина основного базового среза (OF), мм Orientation (major) Flat Length (OF), mm |
16 ±2 для ø 50.8 22 ±2 для ø 76.2 32.5 ±2.5 для ø 100 |
|||
| Дополнительный базовый срез (IF) Identification (minor) Flat (IF) |
EJ SEMI (0-11) – поворот на 90° по часовой стрелке от основного базового среза 90° clockwise CW US SEMI (011) – поворот на 90° против часовой стрелки от основного среза 90° counter clockwise CCW |
|||
| Длина дополнительного базового среза (IF), мм Identification (minor) Flat Length (IF), mm |
8 ±1 для ø 50.8 11 ±1 для ø 76.2 18 ±1 для ø 100 |
|||
| Лицевая / обратная поверхности подложек Surface Specifications (face / reverse) |
полированная «epi-ready» / полированная или шлифованно-травленная polish «epi-ready» / polish or etched (PP or PE) |
|||
| Тара и упаковка Packaging |
индивидуальный или групповой контейнер, вакуумированный пакет single wafer container or cassette |
|||