Подложки фосфида галлия GaP
Подложки фосфида галлия производятся совместно с АО "НИИ МВ", которое является единственным в стране предприятие, выращивающим исходные слитки этого материала.
Исходные монокристаллы фосфида галлия:
|
Легирующая примесь |
нелегированный |
S |
Zn |
|
Тип проводимости |
n |
n |
p |
|
Концентрация носителей, см -3 |
≤1x1016 |
1x1017 - 2x1018 |
2x1017 - 2x1018 |
|
Подвижность, м2/В.с |
≥100 |
≥60 |
≥60 |
|
Плотность дислокаций, см-2 |
≥2x105 |
≥2x105 |
≥2x105 |
Пластины (подложки) фосфида галлия GaP:
|
Диаметр, мм |
50.8 ± 0.3 |
76.2 ± 0.3 |
|
Толщина, мкм |
300 ± 15 |
400 ± 15 |
|
Ориентация поверхности |
(100) |
(111) |
|
Точность ориентации |
± 0.5° |
± 0.1° |
|
Отклонение от точной ориентации |
(1 - 10)± 0.1° в заданном направлении |
|
|
Базовый и дополнительный срезы |
по стандарту SEMI M9, US SEMI и E/J SEMI |
|
|
Обработка поверхностей: лицевая сторона |
полированная epi-ready шлифованно-травленная |
|
|
Упаковка |
индивидуальная или групповая |
|
Возможна поставка монокристаллов и пластин с нестандартными параметрами по запросу заказчика
Для получения более подробной информации просим связываться по нашим контактным телефонам или почте