Эпитаксиальные p-i-n структуры GaAs для приборов силовой электроники
Данные структуры являются нашей новой разработкой и с ноября 2012 г. выпускаются серийно.
Основные параметры GaAs p-i-n структур:
Диаметр, мм - 50;
Обратное напряжение, UR, В - 600 - 1000;
Прямое напряжение, UF, В - 1,3 - 1,7;
Время обратного восстановления, trr, нс - 25 - 60
Конкретная совокупность параметров уточняется по согласованию с потребителем.