Эпитаксиальные структуры
Подложки A3B5
Галлий и сплавы
Калуга
+7 (4842) 500-593
mega_epitech@elmatgroup.ru

Language:

  • русский
  • English (UK)
  • Главная
    • О нас
    • Продукция
    • Партнеры
    • Сертификация ISO 9001:2015
    • Патенты
    • Публикации
    • Награды
    • Официальная информация
  • О нас
  • Продукция
    • Эпитаксиальные структуры
    • 680-950нм ИК-структуры
    • 650-660нм «красные» структуры
    • p-i-n структуры для приборов силовой электроники
    • Подложки А3В5 - GaAs, InAs, GaSb, InSb, GaP, InP
    • подложки GaAs
    • подложки InSb и GaSb
    • подложки GaP
    • Галлий (Ga) и легкоплавкие сплавы
    • галлий для организаций
    • галлий и сплавы в розницу
    • легкоплавкие сплавы и припои
  • Новости
  • Контакты

  • Главная
  • Продукция
  • p-i-n структуры для приборов силовой электроники

Эпитаксиальные p-i-n структуры GaAs для приборов силовой электроники

Данные структуры являются нашей новой разработкой и с ноября 2012 г. выпускаются серийно.

Основные параметры GaAs p-i-n структур:

Диаметр, мм - 50;

Обратное напряжение, UR, В - 600 - 1000;

Прямое напряжение, UF, В - 1,3 - 1,7;

Время обратного восстановления, trr, нс - 25 - 60

Конкретная совокупность параметров уточняется по согласованию с потребителем.

Фильтры
Эпитаксиальные структуры
Подложки A3B5
Галлий и сплавы
Калуга
«Мега Эпитех»
+7 (4842) 500-593
mega_epitech@elmatgroup.ru
г. Калуга, 2-ой Академический проезд, д.25

Back to Top