ООО «МеГа Эпитех» участвует в совместном российско-германском проекте международной программs ERANET-EraSME по разработке гетероэпитаксиальных структур AlGaAs/GaAs с улучшенными эксплуатационными характеристиками, поддержанном Фондом содействия развитию малых предприятий в научно-технической сфере

Информация о материале

Создано: 01 сентября 2014

Разработаны и включены в каталог продукции структуры HS 950P с длиной волны электролюминесценции 950 нм.

Информация о материале

Создано: 25 мая 2012

Завершена разработка лабораторной технологии получения структур GaAs для p-i-n диодов силовой электроники и начата их поставка потребителям

Информация о материале

Создано: 30 марта 2012

Фирмой ООО "МеГа Эпитех" начаты работы по разработке GaAs p-i-n структуры для p-i-n  диодов силовой электроники

Информация о материале

Создано: 14 января 2011