Запущена новая версия сайта. Мы перенесли всю имевшуюся информацию, добавили много новой. Будем рады услышать Ваши замечания и пожелания.
По заказу потребителей разработаны структуры DDH 685N и DDH 760N с повышенной точностью задания пикового значения длины волны люминесценции в партии (± 3 нм)
ООО «МеГа Эпитех» участвует в совместном российско-германском проекте международной программs ERANET-EraSME по разработке гетероэпитаксиальных структур AlGaAs/GaAs с улучшенными эксплуатационными характеристиками, поддержанном Фондом содействия развитию малых предприятий в научно-технической сфере

Разработаны и включены в каталог продукции структуры HS 950P с длиной волны электролюминесценции 950 нм.

Завершена разработка лабораторной технологии получения структур GaAs для p-i-n диодов силовой электроники и начата их поставка потребителям