Нашими компаниями были представлены два стендовых доклада на 7-ом Российском форуме «Микроэлектроника 2021», проходившем в Алуште 3-9 октября:

Крюков В.Л., Васильчиков А.С., Крюков Е.В.
«Гетероструктуры GaAs-AlGaAs для приборов персонализированной медицины» / «GaAs-AlGaAs heterostructures for personalized medicine devices»
Проведены исследования совокупности технологических факторов, позволяющих получать специализированные гетероструктуры GaAs-GaAlAs с высокой мощностью излучения, малым отклонением длины волны электролюминесценции от номинального значения, не более ±3 нм, и высокой стабильностью параметров в процессе эксплуатации, предназначенные для использования в приборах персонализированной медицины.
Скачать RUS / Dounload ENG

Крюков В. Л., Крюков Е.В., Леви А.В.
«Высокоомные структуры GaAs-AlGaAs для силовой электроники»  / «High-ohmic GaAs-AlGaAs structures for power electronics»
Рассмотрены особенности конструкции высокоомных p-i-n структур на основе системы GaAs-AlGaAs и способа их выращивания методом жидкофазной эпитаксии, которые позволяют получать силовые  диоды, существенно превосходящие по совокупности основных параметров лучшие кремниевые аналоги. Разработанная технология позволяет эффективно управлять ключевыми параметрами p-i-n структуры (обратное напряжение, быстродействие, видом процесса обратного восстановления) заданием определенных режимов процесса эпитаксиального выращивания.
Скачать RUS / Dounload ENG

Наши делегаты также приняли участие в работе круглого стола «Проблемные вопросы и перспективы развития отрасли особо чистых веществ и материалов для электроники и фотоники», на котором рассматривались актуальные вопросы импортозамещения особо чистых веществ и материалов, применяемых для производства ЭКБ в микроэлектронике, СВЧ­-электронике, силовой электронике, фотонике и оптике, а также создания экспортно-ориентированных производств. 
Сотрудники нашей компании участвовали в работе XXIII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», проходившем в Нижний Новгороде 11-14 марта 2019г. Была представлена статья «Вертикальный полевой транзистор с управляющим p−n-переходом на основе GaAs», опубликованная в журнале «Физика и техника полупроводников» 2019, том 53, выпуск 10 с.1311-1314.  Скачать pdf версию можно по данной ссылке.
ООО «МеГа Эпитех» повторно успешно прошло сертификацию и подтвердило соответствие системы менеджмента качества требованиям международного стандарта ISO 9001:2015
По заказу потребителей разработаны структуры DDH 685N и DDH 760N с повышенной точностью задания пикового значения длины волны люминесценции в партии (± 3 нм)
ООО «МеГа Эпитех» участвует в совместном российско-германском проекте международной программs ERANET-EraSME по разработке гетероэпитаксиальных структур AlGaAs/GaAs с улучшенными эксплуатационными характеристиками, поддержанном Фондом содействия развитию малых предприятий в научно-технической сфере