Эпитаксиальные структуры
Подложки A3B5
Галлий и сплавы
Зеленоград
+7 (916) 681-16-85
mega_sm@epitaxy.ru

Language:

  • русский
  • English (UK)
  • Главная
    • О нас
    • Продукция
    • Партнеры
    • Сертификация ISO 9001:2015
    • Патенты
    • Публикации
    • Награды
    • Официальная информация
  • О нас
  • Продукция
    • Эпитаксиальные структуры
    • 680-950нм ИК-структуры
    • 650-660нм «красные» структуры
    • p-i-n структуры для приборов силовой электроники
    • Подложки А3В5 - GaAs, InAs, GaSb, InSb, GaP, InP
    • подложки GaAs
    • подложки InSb и GaSb
    • подложки GaP
    • Галлий (Ga) и легкоплавкие сплавы
    • галлий для организаций
    • галлий и сплавы в розницу
    • легкоплавкие сплавы и припои
  • Новости
  • Контакты

  • Главная
  • Продукция
  • Подложки А3В5 - GaAs, InAs, GaSb, InSb, GaP, InP

Подложки
A3B5
- GaAs, InAs, GaSb, InSb, GaP, InP

Одним из основных направлений работы нашей компаний является производство подложек арсенида галлия и других полупроводниковых материалов группы A3B5.

Предприятие обладает комплексом оборудования, построенном на использовании хорошо зарекомендовавших себя шлифовально-полировальных станках «SpeedFAM» (Япония-США). В производстве используются расходные материалы только ведущих мировых производителей, таких как суспензии Nalco производства Eminess (США) и полировальные круги CIEGAL производства CHIYODA (Япония).

В настоящее время мы можем предложить подложки следующих полупроводниковых материалов:

  • подложки арсенида галлия GaAs (LEC и VGF)  - ЭТО ОСНОВНОЙ ТИП НАШЕЙ ПРОДУКЦИИ
  • подложки фосфида галлия GaP

  • подложки арсенида индия InAs, антимонида индия InSb и антимонида галлия GaSb

Резка кристаллов производится на станках проволочной резки производства  Takatori/GTI Corporation (Япония), что дает возможность уже после резки получать пластины с минимальным нарушенным слоем и хорошими параметрами по геометрии пластины.

Обработка кромки и снятие фаски на подложках производится на уникальном станке обработки фаски «СОФ-76M», изготовленном по нашему заказу. Качество обработки и точность задания диаметра конечной подложки соответствует мировым стандартам. 

Обработка кромки подложек с формирование фаски проводится алмазными дисками производства компании Nifec (США).  Диски производятся на заказ и для собственной производственной программы мы закупаем определенную номенклатуру такого инструмента, предназначенную для обработки пластин разной толщины. Имеющиеся позиции мы можем предложить поштучно, что является уникальным предложением в России.

В настоящее время есть в наличии диски Nifec следующих типоразмеров:

Наименование Размер алмазного зерна, US mesh Получаемый радиус кромки подложки, мм Толщина обрабатываемых подложек, мкм
  EG50-8-20-800 800  0,11  200÷300
  EG50-14-20-800 800  0,18  350÷450
  EG50-20-20-800 800  0,25  500÷600
  EG50-30-20-600 600  0,38  800÷1000

Для получения более подробной информации просим связываться по нашим контактным телефонам или почте

Список материалов в категории Подложки
A3B5
- GaAs, InAs, GaSb, InSb, GaP, InP
Заголовок
Подложки InSb и GaSb
Подложки фосфида галлия GaP
Подложки арсенида галлия GaAs
Эпитаксиальные структуры
Подложки A3B5
Галлий и сплавы
Зеленоград
«Мега СМ», «МегаКЛАССИК»
+7 (916) 681-16-85
mega_sm@epitaxy.ru
г.Москва, Зеленоград, Панфиловский проспект, д.10, стр.1

Back to Top