Подложки
A3B5
- GaAs, InAs, GaSb, InSb, GaP, InP
Одним из основных направлений работы нашей компаний является производство подложек арсенида галлия и других полупроводниковых материалов группы A3B5.
Предприятие обладает комплексом оборудования, построенном на использовании хорошо зарекомендовавших себя шлифовально-полировальных станках «SpeedFAM» (Япония-США). В производстве используются расходные материалы только ведущих мировых производителей, таких как суспензии Nalco производства Eminess (США) и полировальные круги CIEGAL производства CHIYODA (Япония).
В настоящее время мы можем предложить подложки следующих полупроводниковых материалов:
-
подложки фосфида галлия GaP
- подложки арсенида индия InAs, антимонида индия InSb и антимонида галлия GaSb
Резка кристаллов производится на станках проволочной резки производства Takatori/GTI Corporation (Япония), что дает возможность уже после резки получать пластины с минимальным нарушенным слоем и хорошими параметрами по геометрии пластины.
Обработка кромки и снятие фаски на подложках производится на уникальном станке обработки фаски «СОФ-76M», изготовленном по нашему заказу. Качество обработки и точность задания диаметра конечной подложки соответствует мировым стандартам.
Обработка кромки подложек с формирование фаски проводится алмазными дисками производства компании Nifec (США). Диски производятся на заказ и для собственной производственной программы мы закупаем определенную номенклатуру такого инструмента, предназначенную для обработки пластин разной толщины. Имеющиеся позиции мы можем предложить поштучно, что является уникальным предложением в России.
В настоящее время есть в наличии диски Nifec следующих типоразмеров:
Наименование | Размер алмазного зерна, US mesh | Получаемый радиус кромки подложки, мм | Толщина обрабатываемых подложек, мкм |
EG50-8-20-800 | 800 | 0,11 | 200÷300 |
EG50-14-20-800 | 800 | 0,18 | 350÷450 |
EG50-20-20-800 | 800 | 0,25 | 500÷600 |
EG50-30-20-600 | 600 | 0,38 | 800÷1000 |
Для получения более подробной информации просим связываться по нашим контактным телефонам или почте