Подложки арсенида галлия GaAs

Наша компания серийно выпускает подложки арсенида галлия, значительная часть которых используется в собственной эпитаксиальной программе.

На данный момент мы являемся единственным предприятием в России, которое реально производит подложки для сторонних заказчиков.


Основными позициями являются подложки диаметром 50.8мм (2"),  76,2мм (3") и 40мм. легированные теллуром или кремнием (n-тип), цинком (p-тип) или нелегированные полуизолирующие. 

Упаковка подложек производится в импортную индивидуальную или групповую тару с вакуумной откачкой, возможна дополнительная упаковка с заполнение инертным газом. 

Кроме того, мы можем провести регенерацию подложек заказчика с нанесенными эпитаксиальными слоями, что обычно дает возможность их повторного использования в эпитаксиальных процессах.

Подложки выпускаются по собственным техническим условиям ТУ 26.11.22-02-52692510-2017 (скачать версию в pdf для печати)
При необходимости мы можем предложить учтенный экземпляр данных технических условий.

При изготовлении подложек используются исходные монокристаллические слитки, выращенные двумя методами:
- LEC - по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава
- VGF - по методу вертикального градиента Фризе (Vertical Gradient Freeze), который отличается более низким значение плотности дислокаций (EPD).

Номенклатура выпускаемых подложек достаточно широка. Есть стандартные серийные позиции, спецификация на которые представлены ниже в таблице. Возможно производство подложек и по индивидуальным техническим требованиям заказчика.

Основные типичные параметры подложек арсенида галлия (скачать версию в pdf для печати):

 Параметр
 Parameter
Значение
parameter value
 Материала подложки
 Substrates material
 GaAs  GaAs(Te) / GaAs(Si)  GaAs(Zn)
 Легирующая примесь
 Dopant
 отсутствует
undopend
Te / Si  Zn
 Тип проводимости
 Conductivity type
полуизолятор
semi-insulator (s-i)
n-тип
n-type
p-тип
p-type
 Метод выращивания исходного кристалла
 Crystal growth method
VGF / LEC
 Кристаллографическая ориентация поверхности
 Surface orientation
(100) / (111)
 Разориентация поверхности
 Misorientations and orientation tolerance
0⁰ ±0.5⁰ / 2.5⁰ ±0.5⁰
 Диаметр, мм (дюйм)
 Wafer diameter, mm
 40 / 50.8 (2’’) / 76.2 (3’’)  
 Допуск на диаметр, мм
 Diameter tolerance mm
  ±0.3
 Диапазон номинальной толщины подложки, мкм
 Thickness, µm
320÷420 ±25  для ø 40
420÷470 ±25 для ø 50.8
580÷650 ±25 для ø 76.2
 Плотность дислокаций (EPD), см-2
 Etch Pitch Density (EPD), cm-2
LEC <7E4
VGF <7E3
LEC <5E4
VGF <5E3
 Концентрация носителей заряда (СС), см-3
 
Carrier concentration (СС), cm-3
 -  (0.5 ÷ 6) E18  (0.5 ÷ 3) E19
 Удельное сопротивление, Ом·см
 Resistivity, Ω.cm
 >1E7  -  -
 Подвижность носителей заряда, см2/(В∙с)
 Hall mobility, cm2/Vs
 >5000  >1500  80 ÷ 120
 Основной базовый срез (OF)
 Orientation Flat (OF)
EJ SEMI (0-1-1) ±1°
US SEMI (01-1) ±1°
 Длина основного базового среза (OF), мм
 Orientation Flat Length (OF), mm
12.5 ±1.0 для ø 40
16 ±1.0 для ø 50.8
22 ±1.0 для ø 76.2
 Дополнительный базовый срез (IF)
 Identification Flat (IF)

EJ SEMI (0-11) – поворот на 90° по часовой стрелке от основного базового среза
90° clockwise CW
US SEMI (011) – поворот на 90° против часовой стрелки от основного среза
90° counter clockwise CCW
 Длина дополнительного базового среза (IF), мм
 Secondary Flat Length (IF), mm
7 ±1.0  для ø 40
8 ±1.0  для ø 50.8
11 ±1.0 для ø 76.2
 Лицевая / обратная поверхности подложек
 Surface Specifications (face / reverse)
полированная «epi-ready» / полированная шлифованно-травленная
polish «epi-ready» / polish or etched (PP or PE)
 Тара и упаковка
 Packaging
индивидуальный или групповой контейнер, вакуумированный пакет
single wafer container or cassette
Для получения более подробной и актуальной информации просим связываться по нашим контактным телефонам +7-916-681-1685, +7-495-981-8194 или почте.