Подложки арсенида галлия GaAs
Наша компания серийно выпускает подложки арсенида галлия, значительная часть которых используется в собственной эпитаксиальной программе.На данный момент мы являемся единственным предприятием в России, которое реально производит подложки для сторонних заказчиков.
Основными позициями являются подложки диаметром 50.8мм (2"), 76,2мм (3") и 40мм. легированные теллуром или кремнием (n-тип), цинком (p-тип) или нелегированные полуизолирующие.
Упаковка подложек производится в импортную индивидуальную или групповую тару с вакуумной откачкой, возможна дополнительная упаковка с заполнение инертным газом.
Кроме того, мы можем провести регенерацию подложек заказчика с нанесенными эпитаксиальными слоями, что обычно дает возможность их повторного использования в эпитаксиальных процессах.
Подложки выпускаются по собственным техническим условиям ТУ 26.11.22-02-52692510-2017 (скачать версию в pdf для печати)
При необходимости мы можем предложить учтенный экземпляр данных технических условий.
При изготовлении подложек используются исходные монокристаллические слитки, выращенные двумя методами:
- LEC - по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава
- VGF - по методу вертикального градиента Фризе (Vertical Gradient Freeze), который отличается более низким значение плотности дислокаций (EPD).
Номенклатура выпускаемых подложек достаточно широка. Есть стандартные серийные позиции, спецификация на которые представлены ниже в таблице. Возможно производство подложек и по индивидуальным техническим требованиям заказчика.
Для получения более подробной и актуальной информации просим связываться по нашему контактному телефону +7-916-681-16-85 или писать на почту Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript..
Основные типичные параметры подложек арсенида галлия (скачать версию в pdf для печати):
Параметр Parameter |
Значение parameter value |
||
Материала подложки Substrates material |
GaAs | GaAs(Te) / GaAs(Si) | GaAs(Zn) |
Легирующая примесь Dopant |
отсутствует undopend |
Te / Si | Zn |
Тип проводимости Conductivity type |
полуизолятор semi-insulator (s-i) |
n-тип n-type |
p-тип p-type |
Метод выращивания исходного кристалла Crystal growth method |
VGF / LEC | ||
Кристаллографическая ориентация поверхности Surface orientation |
(100) / (111) | ||
Разориентация поверхности Misorientations and orientation tolerance |
0⁰ ±0.5⁰ / 2.5⁰ ±0.5⁰ | ||
Диаметр, мм (дюйм) Wafer diameter, mm |
40 / 50.8 (2’’) / 76.2 (3’’) | ||
Допуск на диаметр, мм Diameter tolerance mm |
±0.3 | ||
Диапазон номинальной толщины подложки, мкм Thickness, µm |
320÷420 ±25 для ø 40 420÷470 ±25 для ø 50.8 580÷650 ±25 для ø 76.2 |
||
Плотность дислокаций (EPD), см-2 Etch Pitch Density (EPD), cm-2 |
LEC <7E4 VGF <2.5E3 |
LEC <5E4 VGF <2E3 |
|
Концентрация носителей заряда (СС), см-3 Carrier concentration (СС), cm-3 |
- | (0.5 ÷ 6) E18 | (0.5 ÷ 3) E19 |
Удельное сопротивление, Ом·см Resistivity, Ω.cm |
>1E8 | - | - |
Подвижность носителей заряда, см2/(В∙с) Hall mobility, cm2/Vs |
>5000 | >1500 | 80 ÷ 120 |
Основной базовый срез (OF) Orientation Flat (OF) |
EJ SEMI (0-1-1) ±1° US SEMI (01-1) ±1° |
||
Длина основного базового среза (OF), мм Orientation Flat Length (OF), mm |
12.5 ±1.0 для ø 40 16 ±1.0 для ø 50.8 22 ±1.0 для ø 76.2 |
||
Дополнительный базовый срез (IF) Identification Flat (IF) |
EJ SEMI (0-11) – поворот на 90° по часовой стрелке от основного базового среза 90° clockwise CW US SEMI (011) – поворот на 90° против часовой стрелки от основного среза 90° counter clockwise CCW |
||
Длина дополнительного базового среза (IF), мм Secondary Flat Length (IF), mm |
7 ±1.0 для ø 40 8 ±1.0 для ø 50.8 11 ±1.0 для ø 76.2 |
||
Лицевая / обратная поверхности подложек Surface Specifications (face / reverse) |
полированная «epi-ready» / полированная шлифованно-травленная polish «epi-ready» / polish or etched (PP or PE) |
||
Тара и упаковка Packaging |
индивидуальный или групповой контейнер, вакуумированный пакет single wafer container or cassette |