Доклад на Форуме «Микроэлектроника 2021», Алушта, октябрь 2021г.
«Гетероструктуры GaAs-AlGaAs для приборов персонализированной медицины»
Проведены исследования совокупности технологических факторов, позволяющих получать специализированные гетероструктуры GaAs-GaAlAs с высокой мощностью излучения, малым отклонением длины волны электролюминесценции от номинального значения (не более ±3 нм) и высокой стабильностью параметров в процессе эксплуатации, предназначенные для использования в приборах персонализированной медицины.
Скачать полный текст доклада RUS / ENG
Стендовый доклад
Крюков В. Л., Крюков Е.В., Леви А.В.
Доклад на Форуме «Микроэлектроника 2021», Алушта, октябрь 2021г.
«Высокоомные структуры GaAs-AlGaAs для силовой электроники»
Рассмотрены особенности конструкции высокоомных p-i-n структур на основе системы GaAs-AlGaAs и способа их выращивания методом жидкофазной эпитаксии, которые позволяют получать силовые диоды, существенно превосходящие по совокупности основных параметров лучшие кремниевые аналоги. Разработанная технология позволяет эффективно управлять ключевыми параметрами p-i-n структуры (обратное напряжение, быстродействие, видом процесса обратного восстановления) заданием определенных режимов процесса эпитаксиального выращивания.
Скачать полный текст доклада RUS / ENG
Стендовый доклад
Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, С.А. Краев, В.Л. Крюков, Е.В. Скороходов, С.С. Стрельченко, В.И. Шашкин
«Вертикальный полевой транзистор с управляющим p−n-переходом на основе GaAs»
Приводятся первые результаты по созданию оригинального силового полевого транзистора на GaAs с вертикальным каналом, управляемым p-n-переходом. Главной технологической особенностью является использование двух отдельных процессов эпитаксиального роста при формировании транзисторной структуры. Часть транзистора, содержащая области стока, дрейфа и затвора, выращивается методом жидкофазной эпитаксии. Для формирования областей канала и истока применяется технология металлоорганической газофазной эпитаксии.
XXIII Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г
Журнал «Физика и техника полупроводников» 2019, том 53, выпуск 10 с.1311-1314
Скачать pdf версию
Крюков В.Л., Крюков Е.В., Меерович Л.А., Стрельченко С.С., Титивкин К.А.
«Перспективная технология получения высоковольтных p-i-n-структур GaAs-GaAlAs для силовой электроники»
Рассмотрена оригинальная технология выращивания высокоомных p-i-n-структур на основе системы GaAs-AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии, которая позволяет получать силовые диоды, существенно превосходящие по совокупности основных параметров лучшие кремниевые аналоги. Показано, что особенностью технологии является возможность эффективного управления ключевыми параметрами p-i-n-структуры (обратное напряжение, быстродействие, «мягкость» процесса обратного восстановления, температурная зависимость ВАХ) заданием требуемых технологических режимов.
Журнал «Наукоемкие технологии» 2014, № 2, стр. 42-46