Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, С.А. Краев, В.Л. Крюков, Е.В. Скороходов, С.С. Стрельченко, В.И. Шашкин
«Вертикальный полевой транзистор с управляющим p−n-переходом на основе GaAs»

Приводятся первые результаты по созданию оригинального силового полевого транзистора на GaAs с вертикальным каналом, управляемым p-n-переходом. Главной технологической особенностью является использование двух отдельных процессов эпитаксиального роста при формировании транзисторной структуры. Часть транзистора, содержащая области стока, дрейфа и затвора, выращивается методом жидкофазной эпитаксии. Для формирования областей канала и истока применяется технология металлоорганической газофазной эпитаксии.
XXIII Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г
Журнал «Физика и техника полупроводников» 2019, том 53, выпуск 10 с.1311-1314
Скачать pdf версию




Крюков В.Л., Крюков Е.В., Меерович Л.А., Стрельченко С.С., Титивкин К.А.
«Перспективная технология получения высоковольтных p-i-n-структур GaAs-GaAlAs для силовой электроники»

Рассмотрена оригинальная технология выращивания высокоомных p-i-n-структур на основе системы GaAs-AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии, которая позволяет получать силовые диоды, существенно превосходящие по совокупности основных параметров лучшие кремниевые аналоги. Показано, что особенностью технологии является возможность эффективного управления ключевыми параметрами p-i-n-структуры (обратное напряжение, быстродействие, «мягкость» процесса обратного восстановления, температурная зависимость ВАХ) заданием требуемых технологических режимов.
Журнал «Наукоемкие технологии» 2014, № 2, стр. 42-46