SM Group - Излучающие структуры SH - DH 650-660N

Структура слоев

Слой	Толщина, мкм	Концентрация носителей, см^-3	Мольнгая доля AlAs
n-GaAlAs(Te)	10-15	>5.0^.10¹⁷	0.8-0.6
p-GaAlAs(Zn)	10-15	>5.0^.10¹⁷	0.21-0.24
p-GaAlAs(Zn)-sub.	220-400	>8.0^.10¹⁸	0

Геометрические размеры

Диск диаметром D=37-50 mm

Параметры

Tип	Материал структуры/ подложки	Длина волны пика излучения λ_p,±10 (±5)*[нм]	Мощность излучения при 20мA P₀ [мВт]		Прямое падение напряжения при 20 мA U_f [В]		Обратное падение напряжения при 10 мкA U_r [В] мин.	Время отклика [нс]
Tип	Материал структуры/ подложки	Длина волны пика излучения λ_p,±10 (±5)*[нм]	min	typ.	typ.	max	Обратное падение напряжения при 10 мкA U_r [В] мин.	Tr	Tf
SH 650N	AlGaAs/ p-AlGaAs	650	5.0	7.0	1.70	1.85	8	50	40
DH 650N	AlGaAs/ p-AlGaAs	650	8.0	10.0	1.75	1.90	8	50	40

* по требованию заказчика

Версия для печати в PDF