Структура слоев:

Слой

Толщина, мкм

Концентрация носителей, cm-3 Мольная доля AlAs

n-GaAlAs(Ge)

15-20

>1.0.1018

0.20(0.55*)-0.60

p-GaAlAs(Zn,Ge)

1.0-2.5

5.0.1017

0.08-0.16

p-GaAlAs(Zn)

130-140

>5.0.1017

0.27-0.55

* - DDH770N

Геометрические размеры:

Диск диаметром 37-50 мм

Параметры:

Тип
структуры

Материал структуры/
подложки

Длина волны
пика электро-
люминесценции

λp,[nm]±10 (±5)*

Мощность
излучения при 20мA
P0 [мВт]

Прямое
падение
напряжения
при 20 мА
Uf [В]

Обратное
падение
напряжения при 10 мкА
Ur [В] мин.

Время
отклика [нс]

мин.

типич.

типич.

макс.

Tr

Tf

DDH 770N

AlGaAs/
p-AlGaAs

770

3.5

4.0

1.50

1.70

8

40

30

DDH 810N

AlGaAs/
p-AlGaAs

810

3.8

4.5

1.45

1.65

8

40

30

*по требованию заказчика