SM Group - Излучающие структуры DDH(760-810)N

Структура слоев:

Слой	Толщина, мкм	Концентрация носителей, cm^-3	Мольная доля AlAs
n-GaAlAs(Ge)	15-20	>1.0^.10¹⁸	0.20(0.55*)-0.60
p-GaAlAs(Zn,Ge)	1.0-2.5	5.0^.10¹⁷	0.08-0.16
p-GaAlAs(Zn)	130-140	>5.0^.10¹⁷	0.27-0.55

* - DDH770N

Геометрические размеры:

Диск диаметром 37-50 мм

Параметры:

Тип структуры	Материал структуры/ подложки	Длина волны пика электро- люминесценции λ_p,[nm]±10 (±5)*	Мощность излучения при 20мA P₀ [мВт]		Прямое падение напряжения при 20 мА U_f [В]		Обратное падение напряжения при 10 мкА U_r [В] мин.	Время отклика [нс]
Тип структуры	Материал структуры/ подложки	Длина волны пика электро- люминесценции λ_p,[nm]±10 (±5)*	мин.	типич.	типич.	макс.	Обратное падение напряжения при 10 мкА U_r [В] мин.	Tr	Tf
DDH 770N	AlGaAs/ p-AlGaAs	770	3.5	4.0	1.50	1.70	8	40	30
DDH 810N	AlGaAs/ p-AlGaAs	810	3.8	4.5	1.45	1.65	8	40	30

*по требованию заказчика

Версия для печати в PDF