Толщина, мкм

p-GaAlAs(Ge)

15-20

>1.0^.10¹⁸

0.10-0.30

p-GaAlAs(Ge)

1.0-3.0

5.0^.10¹⁷ (1.0^.10¹⁸)**

0.01(0.03)*

n-GaAlAs(Te)

130-140

>2.0^.10¹⁷

0.10-0.30

Тип
структуры

Материал структуры/
подложки

Длина волны
пика электро-
люминесценции

λ_p,[nm]±10 (±5)*

Мощность
излучения при 20мA
P₀ [мВт]

Прямое
падение
напряжения
при 20 мА
U_f [В]

Обратное
падение
напряжения при 10 мкА
U_r [В] мин.

Время
отклика [нс]

мин.

типич.

типич.

макс.

Tr

Tf

DDH 870P

AlGaAs/
n-AlGaAs

870

3.5

4.0

 1.25

1.35

8

30

25

DDH 870PS

AlGaAs/
n-AlGaAs

870

2.8

3.4

1.25

1.35

8

10

10

DDH 850P

AlGaAs/
n-AlGaAs

850

3.5

4.0

1.30

1.40

8

30

25