Толщина, мкм

p-GaAlAs(Ge)

15-20

>1.0^.10¹⁸

0.10-0.30

p-GaAs(Ge,Si)

2.0-4.0

5.0^.10¹⁷

0.00

n-GaAlAs(Te)

130-140

>2.0^.10¹⁷

0.10-0.30

Тип
структуры

Материал структуры/
подложки

Длина волны
пика электро-
люминесценции

λ_p,[nm]±10 (±5)*

Мощность
излучения при 20мA
P₀ [мВт]

Прямое
падение
напряжения
при 20 мА
U_f [В]

Обратное
падение
напряжения при 10 мкА
U_r [В] мин.

Время
отклика [нс]

мин.

типич.

типич.

макс.

Tr

Tf

DDH 910P

AlGaAs/
n-AlGaAs

910

3.0

3.5

 1.25

1.35

8

120

100