Структура слоев:
| Слой |
Толщина, мкм |
Концентрация носителей, cm-3 |
|
p-GaAs(Si) |
60-70 |
(2-3).1018 |
|
n-GaAs(Si) |
10-20 |
(1-5).1017 |
|
n-GaAs подложка (Te) |
(0.7-2).1018 |
|
| Общая толщина (мкм) |
230-270 |
Геометрические размеры
Диск диаметром 37-50 мм
Параметры:
|
Тип |
Материал структуры/ |
Длина волны λp,[nm]±10 (±5)* |
Мощность |
Прямое |
Обратное |
Время |
|||
|
мин. |
типич. |
типич. |
макс. |
Tr |
Tf |
||||
|
HS 950P |
GaAs/ |
950 |
1.0 |
1.2 |
1.1 |
1.2 |
8 |
500 |
500 |
* по запросу потребителя