Структура слоев:

Слой

Толщина, мкм

Концентрация носителей, cm-3

p-GaAs(Si)

60-70

(2-3).1018

n-GaAs(Si)

10-20

(1-5).1017

n-GaAs подложка (Te)

 

(0.7-2).1018

Общая толщина (мкм)

230-270

 



Геометрические размеры

Диск диаметром 37-50 мм

Параметры:

Тип
структуры

Материал структуры/
подложки

Длина волны
пика электро-
люминесценции

λp,[nm]±10 (±5)*

Мощность
излучения при 20мA
P0 [мВт]

Прямое
падение
напряжения
при 20 мА
Uf [В]

Обратное
падение
напряжения при 10 мкА
Ur [В] мин.

Время
отклика [нс]

мин.

типич.

типич.

макс.

Tr

Tf

HS 950P

GaAs/
p-GaAs

950

1.0

1.2

 1.1

1.2

8

500

500


* по запросу потребителя