Структура слоев

Слой

Толщина, мкм

Концентрация носителей,
см-3
Мольная доля AlAs

p-GaAlAs(Zn)

10-15

>2.0.1018

0.60-0.65

p-GaAlAs(Zn)

1.5-2.5

5.0.1017 

0.35

n-GaAlAs(Te)

120-130

>5.0.1017

0.60-0.65

Геометрические размеры

Диск диаметром 37-40 мм

Параметры

Тип

Материал структуры/
подложки

Длина волны пика излучения
λp,±10
(±5)*[nm]

Мощность
излучения
при 20мA
P0 [мВт]

Прямое
падение
напряжения
при 20 мA
Uf [В]

Обратное падение напряжения
при 10 мкA
Ur [В] мин.

Время отклика [нс]

min

typ.

typ.

max

Tr

Tf

DDH 660P

AlGaAs/
n-AlGaAs

660

18

20

 1.90

1.95

>8

50

35

* по требованию заказчика.