Структура слоев
Слой |
Толщина, мкм |
Концентрация носителей, см-3 |
Мольная доля AlAs |
p-GaAlAs(Zn) |
10-15 |
>2.0.1018 |
0.60-0.65 |
p-GaAlAs(Zn) |
1.5-2.5 |
5.0.1017 |
0.35 |
n-GaAlAs(Te) |
120-130 |
>5.0.1017 |
0.60-0.65 |
Геометрические размеры
Диск диаметром 37-40 мм
Параметры
Тип |
Материал структуры/ |
Длина волны пика излучения |
Мощность |
Прямое |
Обратное падение напряжения |
Время отклика [нс] |
|||
min |
typ. |
typ. |
max |
Tr |
Tf |
||||
DDH 660P |
AlGaAs/ |
660 |
18 |
20 |
1.90 |
1.95 |
>8 |
50 |
35 |
* по требованию заказчика.