SM Group - Излучающие структуры DDH(720-750)N

Структура слоев:

Слой	Толщина, мкм	Концентрация носителей, cm^-3	Мольная доля AlAs
n-GaAlAs(Te)	12-15	>2.0^.10¹⁸	0.6
p-GaAlAs(Zn)	2-3	>5.0^.10¹⁷	0.21-0.24
p-GaAlAs(Zn)	120-140	>5.0^.10¹⁷	0.6

Геометрические размеры:

Диск диаметром 37-40 мм

Параметры:

Тип структуры	Материал структуры/ подложки	Длина волны пика электро- люминесценции λ_p,[nm]±10 (±5)*	Мощность излучения при 20мA P₀ [мВт]		Прямое падение напряжения при 20 мА U_f [В]		Обратное падение напряжения при 10 мкА U_r [В] мин.	Время отклика [нс]
Тип структуры	Материал структуры/ подложки	Длина волны пика электро- люминесценции λ_p,[nm]±10 (±5)*	мин.	типич.	типич.	макс.	Обратное падение напряжения при 10 мкА U_r [В] мин.	Tr	Tf
DDH 725N	AlGaAs/ p-AlGaAs	725	3.2	3.8	1.6	1.7	>8	40	30
DDH 740N	AlGaAs/ p-AlGaAs	740	3.5	4.0	1.6	1.7	>8	40	30

*по требованию заказчика

Версия для печати в PDF