Структура слоев:
| Слой |
Толщина, мкм |
Концентрация носителей, cm-3 | Мольная доля AlAs |
|
n-GaAlAs(Te) |
15-20 |
>1.0.1018 |
0.10-0.30 |
|
p-GaAlAs(Si,Ge) |
2.0-3.0 |
5.0.1017 |
0.00 |
|
p-GaAlAs(Zn) |
130-140 |
>5.0.1017 |
0.10-0.30 |
Геометрические размеры:
Диск диаметром 37-50 мм
Параметры:
|
Тип |
Материал структуры/ |
Длина волны λp,[nm]±10 (±5)* |
Мощность |
Прямое |
Обратное |
Время |
|||
|
мин. |
типич. |
типич. |
макс. |
Tr |
Tf |
||||
|
DDH 900N |
AlGaAs/ |
900 |
3.0 |
3.5 |
1.35 |
1.50 |
8 |
80 |
60 |
*по требованию заказчика