Слой

Толщина, мкм

n-GaAlAs(Te)

15-20

>1.0^.10¹⁸

0.10-0.30

p-GaAlAs(Zn,Ge)

1.0-2.5

5.0^.10¹⁷

0.01-0.02

p-GaAlAs(Zn)

130-140

5.0^.10¹⁷

0.10-0.15

p-GaAs(Zn,Ge)*

20-25

6.0-8.0^.10¹⁷

0.00

p-GaAs(Zn)-sub.

380-420

>8.0^.10¹⁸

0.00

Тип
структуры

Материал структуры/
подложки

Длина волны
пика электро-
люминесценции
λ_p,[nm]±10(±5)*

Мощность
излучения при 20мA
P₀ [мВт]

Прямое
падение
напряжения
при 20 мА
U_f [В]

Обратное
падение
напряжения при 10 мкА
U_r [В] мин.

Время
отклика [нс]

мин.

типич.

типич.

макс.

Tr

Tf

DH860N тип 1

AlGaAs/
p-GaAs

860

0.8

1.2

1.30

1.40

8

30

25

DH860N тип 2

AlGaAs/
p-GaAs

860

1.4

1.8

1.30

1.40

8

60

50