|
Патент № 2488911
«Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкостной эпитаксии»
 |
Патент № 2515316
«Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур»
 |
|
Патент № 2635585
«Способ извлечения галлия из порошковых галлийсодержащих отходов»
|
Патент № 2610388
«Способ единовременного получения p-i-n структуры GaAs, имеющей p, i и n области в одном эпитаксиальном слое»
 |
|
Патент № 2638575
«Способ получения полупроводниковых структур методом жидкофазной эпитаксии с высокой однородностью по толщине эпитаксиального слоя»
|
Патент № 2639263
«Способ получения многослойных гетероэпитаксиальных структур в системе AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии»
|
|
Патент № 2727124
«Способ получения низколегированного слоя GaAs методом жидкофазной эпитаксии»
|
|
