Сотрудники нашей компании участвовали в работе XXIII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», проходившем в Нижний Новгороде 11-14 марта 2019г. Была представлена статья «Вертикальный полевой транзистор с управляющим p−n-переходом на основе GaAs», опубликованная в журнале «Физика и техника полупроводников» 2019, том 53, выпуск 10 с.1311-1314.  Скачать pdf версию можно по данной ссылке.