Получение гранта Фонда содействия развитию малых предприятий в научно-технической сфере
Проект ООО «МеГа Эпитех» — «Разработка гетероструктур арсенида галлия-алюминия и технологии их производства для приборов высокотемпературной электроники» поддержан Фондом содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере в рамках программы «Развитие-Электроника».
Данный проект направлен на проектирование, разработку и последующую коммерциализацию гетероструктур арсенида галлия-алюминия для приборов высокотемпературной электроники.
- Информация о материале
9-ой Российский форум «Микроэлектроника 2023»
Представители наших компаний приняли участие в работе 9-го Российского форума «Микроэлектроника 2023», проходившем в Сириусе 9-14 октября.
- Информация о материале
Выставка ExpoElectronica 2022
- Информация о материале
Продление сертификата ISO 9001:2015
- Информация о материале
7-ой Российский форум «Микроэлектроника 2021»
Нашими компаниями были представлены два стендовых доклада на 7-ом Российском форуме «Микроэлектроника 2021», проходившем в Алуште 3-9 октября:
Крюков В.Л., Васильчиков А.С., Крюков Е.В.
«Гетероструктуры GaAs-AlGaAs для приборов персонализированной медицины» / «GaAs-AlGaAs heterostructures for personalized medicine devices»
Проведены исследования совокупности технологических факторов, позволяющих получать специализированные гетероструктуры GaAs-GaAlAs с высокой мощностью излучения, малым отклонением длины волны электролюминесценции от номинального значения, не более ±3 нм, и высокой стабильностью параметров в процессе эксплуатации, предназначенные для использования в приборах персонализированной медицины.
Скачать RUS / Dounload ENG
Крюков В. Л., Крюков Е.В., Леви А.В.
«Высокоомные структуры GaAs-AlGaAs для силовой электроники» / «High-ohmic GaAs-AlGaAs structures for power electronics»
Рассмотрены особенности конструкции высокоомных p-i-n структур на основе системы GaAs-AlGaAs и способа их выращивания методом жидкофазной эпитаксии, которые позволяют получать силовые диоды, существенно превосходящие по совокупности основных параметров лучшие кремниевые аналоги. Разработанная технология позволяет эффективно управлять ключевыми параметрами p-i-n структуры (обратное напряжение, быстродействие, видом процесса обратного восстановления) заданием определенных режимов процесса эпитаксиального выращивания.
Скачать RUS / Dounload ENG
Наши делегаты также приняли участие в работе круглого стола «Проблемные вопросы и перспективы развития отрасли особо чистых веществ и материалов для электроники и фотоники», на котором рассматривались актуальные вопросы импортозамещения особо чистых веществ и материалов, применяемых для производства ЭКБ в микроэлектронике, СВЧ-электронике, силовой электронике, фотонике и оптике, а также создания экспортно-ориентированных производств.
- Информация о материале