Эпитаксиальные структуры
Подложки A3B5
Галлий и сплавы
Зеленоград
+7 (916) 681-16-85
megaclassic@mail.ru

Language:

  • русский
  • English (UK)
  • Главная
    • О нас
    • Продукция
    • Партнеры
    • Сертификаты
    • Патенты
    • Публикации
    • Награды
    • Официальная информация
  • О нас
  • Продукция
    • Эпитаксиальные структуры
    • 680-950нм ИК-структуры
    • 650-660нм «красные» структуры
    • ОЭС-фотокатоды
    • p-i-n структуры для приборов силовой электроники
    • Подложки А3В5 - GaAs, InAs, GaSb, InSb, GaP, InP
    • Галлий (Ga) и легкоплавкие сплавы
  • Новости
  • Контакты

  • Главная
  • Продукция
  • Подложки А3В5 - GaAs, InAs, GaSb, InSb, GaP, InP

Подложки
A3B5
- GaAs, InAs, GaSb, InSb, GaP, InP

Одним из основных направлений работы нашей компаний является производство подложек арсенида галлия и других полупроводниковых материалов.

Предприятие обладает комплексом оборудования, построенном на использовании хорошо зарекомендовавших себя шлифовально-полировальных станках «SpeedFAM» (Япония-США). В производстве используются расходные материалы только ведущих мировых производителей, таких как суспензии «Nalco» производства Eminess (США) и полировальные круги «CIEGAL» производства CHIYODA CO., LTD (Япония).

Резка кристаллов производится на станках проволочной резки MWS-45SN производства Takatori/GTI Corporation (Япония), что дает возможность уже после резки получать пластины с минимальным нарушенным слоем и хорошими параметрами по геометрии пластины.

Обработка кромки и снятие фаски на пластинах производится на уникальных станках обработки фаски «СОФ», разработанных и изготовленных специалистами нашей компании. Качество обработки и точность задания диаметра конечной пластины соответствует мировым стандартам.

Базовой модификацией такого станка является универсальный бескопирный вариант «СОФ-БК» с возможностью обработки пластин размером 40÷200мм произвольной формы. Подобные станки обработки фаски могут быть модифицированы под решение конкретных задач и изготовлены по вашему заказу.

В настоящее время мы можем предложить подложки следующих полупроводниковых материалов:

  • подложки арсенида галлия GaAs LEC и VGF
  • подложки фосфида галлия GaP

  • подложки арсенида индия InAs, антимонида индия InSb и антимонида галлия GaSb - выпускаются из материала и совместно с ОАО «ГИРЕДМЕТ». Геометрические параметры подложек определяются требованиями заказчика.


Диаметр подложек - до 76мм, остальные параметры - по согласованию с заказчиком.

Для получения более подробной информации просим связываться по нашим контактным телефонам или почте

List of articles in category Подложки
A3B5
- GaAs, InAs, GaSb, InSb, GaP, InP
Заголовок
Стандартная спецификация на подложки GaP
Подложки-пластины арсенида галлия GaAs
Эпитаксиальные структуры
Подложки A3B5
Галлий и сплавы
Зеленоград
«Мега СМ», «МегаКЛАССИК»
+7 (916) 681-16-85
megaclassic@mail.ru
г. Москва, Зеленоград, Панфиловский проспект, д. 8, стр. 13

Back to Top