Одним из основных направлений работы нашей компаний является производство подложек арсенида галлия и других полупроводниковых материалов.

Предприятие обладает комплексом оборудования, построенном на использовании хорошо зарекомендовавших себя шлифовально-полировальных станках «SpeedFAM» (Япония-США). В производстве используются расходные материалы только ведущих мировых производителей, таких как суспензии «Nalco» производства Eminess (США) и полировальные круги «CIEGAL» производства CHIYODA CO., LTD (Япония).

Резка кристаллов производится на станках проволочной резки MWS-45SN производства Takatori/GTI Corporation (Япония), что дает возможность уже после резки получать пластины с минимальным нарушенным слоем и хорошими параметрами по геометрии пластины.

Обработка кромки и снятие фаски на пластинах производится на уникальных станках обработки фаски «СОФ», разработанных и изготовленных специалистами нашей компании. Качество обработки и точность задания диаметра конечной пластины соответствует мировым стандартам.

Базовой модификацией такого станка является универсальный бескопирный вариант «СОФ-БК» с возможностью обработки пластин размером 40÷200мм произвольной формы. Подобные станки обработки фаски могут быть модифицированы под решение конкретных задач и изготовлены по вашему заказу.

В настоящее время мы можем предложить подложки следующих полупроводниковых материалов:

• подложки арсенида галлия GaAs LEC и VGF

• подложки фосфида галлия GaP

• подложки арсенида индия InAs, антимонида индия InSb и антимонида галлия GaSb - выпускаются из материала и совместно с ОАО «ГИРЕДМЕТ». Геометрические параметры подложек определяются требованиями заказчика.

Диаметр подложек - до 76мм, остальные параметры - по согласованию с заказчиком.

Для получения более подробной информации просим связываться по нашим контактным телефонам или почте