Излучающие структуры ИК диапазона 680-950нм
Излучающие структуры "красного" диапазона 650-660нм
Гетороструктуры AlGaAs для изготовления ОЭС-фотокатодов
Эпитаксиальные p-i-n структуры GaAs для приборов силовой электроники
 


Производство гетероструктур GaAs-AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии осуществляется на прецизионном автоматизированном эпитаксиальном оборудовании. Основные технические решения, используемые в технологии производства, защищены патентами РФ.