Излучающие структуры ИК диапазона 680-950нм
Излучающие структуры "красного" диапазона 650-660нм
Гетороструктуры AlGaAs для изготовления ОЭС-фотокатодов
Эпитаксиальные p-i-n структуры GaAs для приборов силовой электроники
 
 
Подложки А3В5 - GaAs, InAs, GaSb, InSb, GaP, InP
Галлий высокой
чистоты 5N и 6N,
галлий технический
ГЛ-0 и ГЛ-1
Исследования на электронном микроанализаторе
«Cameca MS-46»