Патент на изобретение №2488911
"Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкостной эпитаксии"

Патент на изобретение 2515316
"Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур"

Патент на изобретение №2635585
"Способ извлечения галлия из порошковых галлийсодержащих отходов"

Патент 2635585