Патент на изобретение №2488911 "Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкостной эпитаксии"
 |
Патент на изобретение 2515316 "Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур"
 |