Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"

Сотрудники нашей компании участвовали в работе XXIII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», проходившем в Нижний Новгороде 11-14 марта 2019г. Была представлена статья «Вертикальный полевой транзистор с управляющим p−n-переходом на основе GaAs», опубликованная в журнале «Физика и техника полупроводников» 2019, том 53, выпуск 10 с.1311-1314.  Скачать pdf версию можно по данной ссылке.
Details

Получение сертификата ISO 9001:2015

ООО «МеГа Эпитех» повторно успешно прошло сертификацию и подтвердило соответствие системы менеджмента качества требованиям международного стандарта ISO 9001:2015
Details

Разработка DDH 685N и DDH 760N

По заказу потребителей разработаны структуры DDH 685N и DDH 760N с повышенной точностью задания пикового значения длины волны люминесценции в партии (± 3 нм)
Details

Получение гранта Фонда содействия развитию малых предприятий в научно-технической сфере

ООО «МеГа Эпитех» участвует в совместном российско-германском проекте международной программs ERANET-EraSME по разработке гетероэпитаксиальных структур AlGaAs/GaAs с улучшенными эксплуатационными характеристиками, поддержанном Фондом содействия развитию малых предприятий в научно-технической сфере
Details

Development of HS 950P

HS 950P structures with 950 nm wavelengh of emission have been developed and cataloged
Details
  1. The shipment of first GaAs structures for p-i-n diodes
  2. GaAs structures for p-i-n diodes
  3. The Saint George bronze statuette award on XI International forum "High technologies XXI" for "MeGa Epitech" Co Ltd. project
  4. The Silver medal on IX Moscow International Salon of Innovations and Investments for "MeGa Epitech" Co Ltd. development